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參數資料
| 型號： | MPSW63RLRA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 10/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW63RLRA |
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Package Outline Dimensions
8–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
CASE 318–08
(TO–236AB) SOT–23
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.1102
0.1197
2.80
3.04
INCHES
B
0.0472
0.0551
1.20
1.40
C
0.0350
0.0440
0.89
1.11
D
0.0150
0.0200
0.37
0.50
G
0.0701
0.0807
1.78
2.04
H
0.0005
0.0040
0.013
0.100
J
0.0034
0.0070
0.085
0.177
K
0.0140
0.0285
0.35
0.69
L
0.0350
0.0401
0.89
1.02
S
0.0830
0.1039
2.10
2.64
V
0.0177
0.0236
0.45
0.60
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2.
CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3.
MAXIUMUM LEAD THICKNESS INCLUDES
LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD
THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF
BASE MATERIAL.
STYLE 6:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 8:
PIN 1. ANODE
2. NO CONNECTION
3. CATHODE
STYLE 9:
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 10:
PIN 1. DRAIN
2. SOURCE
3. GATE
STYLE 11:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. CATHODE–ANODE
STYLE 12:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 18:
PIN 1. NO CONNECTION
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 19:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
3. CATHODE–ANODE
STYLE 21:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
PLASTIC
S
G
H
D
C
B
L
A
1
3
2
J
K
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
2.70
3.10
0.1063
0.1220
MILLIMETERS
B
1.30
1.70
0.0512
0.0669
C
1.00
1.30
0.0394
0.0511
D
0.35
0.50
0.0138
0.0196
G
1.70
2.10
0.0670
0.0826
H
0.013
0.100
0.0005
0.0040
J
0.09
0.18
0.0034
0.0070
K
0.20
0.60
0.0079
0.0236
L
1.25
1.65
0.0493
0.0649
S
2.50
3.00
0.0985
0.1181
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
CASE 318D–04
SC–59
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
STYLE 2:
PIN 1. N.C.
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 4:
PIN 1. N.C.
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 5:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW63RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MQ82965BXU | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, CQFP164 |
| MR8255A/B | 24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, QCC44 |
| MR82C37A-5/B | 4 CHANNEL(S), 5 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44 |
| MR82C37A/B | 4 CHANNEL(S), 8 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW63RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW64 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSW92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW92_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW92G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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