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參數資料
| 型號： | MPSW63RLRA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 23/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW63RLRA |
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MPSW63 MPSW64
2–712
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 4. Temperature Coefficients
Figure 5. Current–Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
Figure 7. Active Region, Safe Operating Area
–0.5
–100
–0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
+5.0
+1.0
–1.0
–2.0
–3.0
–5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
20
–10
–0.5
–2.0
–0.1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
3.0
2.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
–1 k
–500
–200
–100
–1.0
R
I
–10
–5.0
–20
–1.0
–5.0
–20
–4.0
600
100
60
40
30
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
–300
0
–0.5
–100
–0.3
–10
–1.0 –2.0
–5.0
–50
–300
f
,CURRENT–GAIN
–
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz
)
–0.2
–30
10
–2 k
–5.0
–1.5
–20
–10
–30
–2.0
T
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
C
15
20
–20
400
300
200
+2.0
+4.0
+3.0
–2.0
–50
Cibo
Cobo
TJ = 25°C
f = 1.0 MHz
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
q
V
TJ = 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/100
+25
°C TO +125°C
–50
°C TO +25°C
RqVB FOR VBE
*RqVC FOR VCE(sat)
+25
°C TO +125°C
–50
°C TO +25°C
VCE = –20 V
–10 V
–5.0 V
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
DUTY CYCLE
≤ 10%
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0 s
1.0 mS
100
ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW63RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MQ82965BXU | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, CQFP164 |
| MR8255A/B | 24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, QCC44 |
| MR82C37A-5/B | 4 CHANNEL(S), 5 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44 |
| MR82C37A/B | 4 CHANNEL(S), 8 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW63RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW64 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSW92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW92_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW92G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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