- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98035 > MPSW64RLRE (ON SEMICONDUCTOR) 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MPSW64RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW64RLRE |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁
2–710
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
One Watt Darlington Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPSW63
MPSW64
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCES
–30
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–10
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watt
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
–30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–100
nAdc
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSW63
MPSW64
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
*
*Motorola Preferred Device
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW64RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64ZL1 | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW63RLRA | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW63RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MQ82965BXU | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, CQFP164 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW92_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW92G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW92RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW92RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。