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參數資料
| 型號： | MUN5214DW |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
| 中文描述： | 表面安裝雙偏置電阻晶體管NPN硅 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | MUN5214DW |
Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor
NPN Silicon
Maximum Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Collector Current
Symbol
VCEO
VCBO
IC
Value
50
50
100
Unit
Vdc
Vdc
mAdc
Rating
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN5211DW Series
Total Device Dissipation T
A
=25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature
Characteristics
TJ,Tstg
PD
Symbol
Max
187
256
1.5
2.0
670
(2)
490
(3)
-55 to +150
Unit
mW
mW/ C
C/W
C
Thermal Characteristics
Device Marking and Resistor Values
RJA
θ
3
4
5
1
2
6
NPN+NPN
(1)
(2)
(3)
(2)
(3)
Device
MUN5211DW
MUN5212DW
MUN5213DW
MUN5214DW
MUN5215DW
MUN5216DW
MUN5230DW
Marking
R1(K)
R2(K)
7A
7B
7C
7D
7E
7F
7G
10
22
47
10
10
4.7
1.0
10
22
47
47
8
1.0
Device
MUN5231DW
MUN5232DW
MUN5233DW
MUN5234DW
MUN5235DW
MUN5236DW
MUN5237DW
Marking
R1(K)
R2(K)
7H
7J
7K
7L
7M
7N
7P
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.One Junction Heated
2.FR-4 @ Minimum Pad
3.FR-4 @ 1.0 1.0 Inch Pad
SOT-363(SC-88)
123
654
Lead(Pb)-Free
Pb
1/6
Rev.A 29-Dec-05
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5230DW | Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
| MUN5231DW | Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
| MUN5232DW | Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
| MUN5233DW | Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
| MUN5234DW | Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MUN5214DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5214DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5214T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5214T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5215 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
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