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參數資料
| 型號： | MUN5237 |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | NPN硅偏置電阻晶體管 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | MUN5237 |
NPN Silicon Bias Resistor Transistor
Collector-EmitterVoltage
Symbol
VCEO
Value
50
Unit
Vdc
Vdc
Rating
IC
VCBO
50
mAdc
Collector Current-Continuous
100
MUN5211 Series
h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . t w
W E I T R O N
Maximum Ratings
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)TA=25 C
Derate above 25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage,Temperature Range
Characteristics
TJ,Tstg
RJA
PD
Symbol
Max
Unit
mW
mW/ C
C/W
C
Thermal Characteristics
Device Marking and Resistor Values
Device
Marking
(1)
202
1.6
618
-55 to +150
SOT-323(SC-70)
1
2
3
R1
R2
Collector-BaseVoltage
1.FR-4 @ minimum pad
2.FR-4 @ 1.0 1.0 inch Pad
l
l
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
R1(K)
R2(K)
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
10
22
47
10
10
4.7
1.0
10
22
47
47
8
8
1.0
Device
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
Marking
R1(K)
R2(K)
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
2.2
4.7
47
47
47
100
22
Lead(Pb)-Free
Pb
1/9
Rev.A 30-Dec-05
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR130 | 1.0 AMPS. ULTRA FAST RECTIFIERS |
| MURC1020 | MURC1020 Ultrafast Silicon Die |
| MURC1060 | MURC1060 Ultrafast Silicon Die |
| MURC1510 | MURC1510-MURC1560 Ultrafast Silicon Die |
| MURC1515 | MURC1510-MURC1560 Ultrafast Silicon Die |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MUN5237DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5237DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5237DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5237T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5237T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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