- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄192295 > S29AL032D70BAE000 (Spansion Inc.) 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory PDF資料下載
參數資料
| 型號： | S29AL032D70BAE000 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的CMOS 3.0伏只閃存 |
| 文件頁數： | 64/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1970K |
| 代理商： | S29AL032D70BAE000 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁當前第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁
June 13, 2005 S29AL032D_00_A3
S29AL032D
65
Ad vance
Info rmat i o n
Physical Dimensions
VBN048—48-Ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)
10.0 x 6.0 mm
3425\ 16-038.25
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
3. BALL POSITION DESIGNATION PER JESD 95-1, SPP-010 (EXCEPT
AS NOTED).
4.
e REPRESENTS THE SOLDER BALL GRID PITCH.
5. SYMBOL "MD" IS THE BALL ROW MATRIX SIZE IN THE
"D" DIRECTION.
SYMBOL "ME" IS THE BALL COLUMN MATRIX SIZE IN THE
"E" DIRECTION.
N IS THE TOTAL NUMBER OF SOLDER BALLS.
6
DIMENSION "b" IS MEASURED AT THE MAXIMUM BALL
DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
7
SD AND SE ARE MEASURED WITH RESPECT TO DATUMS
A AND B AND DEFINE THE POSITION OF THE CENTER
SOLDER BALL IN THE OUTER ROW.
WHEN THERE IS AN ODD NUMBER OF SOLDER BALLS IN
THE OUTER ROW PARALLEL TO THE D OR E DIMENSION,
RESPECTIVELY, SD OR SE = 0.000.
WHEN THERE IS AN EVEN NUMBER OF SOLDER BALLS IN
THE OUTER ROW, SD OR SE = e/2
8. NOT USED.
9. "+" INDICATES THE THEORETICAL CENTER OF DEPOPULATED
BALLS.
10 A1 CORNER TO BE IDENTIFIED BY CHAMFER, LASER OR INK
MARK, METALLIZED MARK INDENTATION OR OTHER MEANS.
PACKAGE
VBN 048
JEDEC
N/A
10.00 mm x 6.00 mm NOM
PACKAGE
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
NOTE
A
---
1.00
OVERALL THICKNESS
A1
0.17
---
BALL HEIGHT
A2
0.62
---
0.73
BODY THICKNESS
D
10.00 BSC.
BODY SIZE
E
6.00 BSC.
BODY SIZE
D1
5.60 BSC.
BALL FOOTPRINT
E1
4.00 BSC.
BALL FOOTPRINT
MD
8
ROW MATRIX SIZE D DIRECTION
ME
6
ROW MATRIX SIZE E DIRECTION
N
48
TOTAL BALL COUNT
φb
0.35
---
0.45
BALL DIAMETER
e
0.80 BSC.
BALL PITCH
SD / SE
0.40 BSC.
SOLDER BALL PLACEMENT
NONE
DEPOPULATED SOLDER BALLS
+0.20
-0.50
1.00
-0.50
+0.20
1.00
0.50
SEATING PLANE
A1 ID.
A1 CORNER
A2
A
b
e
D
E
B
A
M
0.15
C
M
7
6
e
SE
SD
C
0.10
A1
C
6
5
4
3
2
A
B
C
D
E
F
G
1
H
B
A
C
0.08
E1
D1
C
0.08
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29AL032D70BAE002 | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| S29AL032D90TFI042 | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| S29AL032D90TFI043 | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| S29CD016G0JDEI004 | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76 |
| S29CD016G0JDEI007 | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29AL032D70BAI000 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 32Mbit 4M x 8bit 70ns 48-Pin FBGA Tray |
| S29AL032D70BAI030 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin FBGA Tray |
| S29AL032D70BAI032 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin FBGA T/R |
| S29AL032D70BFI000 | 功能描述:閃存 32MB 閃存 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29AL032D70BFI030 | 功能描述:閃存 32MB 閃存 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。