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1N828

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    1N828

    1N828

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • MSC

  • DO-7

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 6.55V 5% 500MW 2PIN DO-7 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-7
1N828 技術參數
  • 1N827UR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N827AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N827AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N827A (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N827A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N914_T26A 1N914_T50A 1N914_T50R 1N914A 1N914A_T50R 1N914ATR 1N914B 1N914B A0G 1N914B,113 1N914B_S00Z 1N914B_S62Z 1N914B_T50A 1N914B_T50R 1N914B-TP 1N914BTR 1N914BTR_S00Z 1N914BW RHG 1N914BWS
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