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1N8522

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1N8522 技術(shù)參數(shù)
  • 1N829UR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829A (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N914B A0G 1N914B,113 1N914B_S00Z 1N914B_S62Z 1N914B_T50A 1N914B_T50R 1N914B-TP 1N914BTR 1N914BTR_S00Z 1N914BW RHG 1N914BWS 1N914BWS RRG 1N914BWT 1N914-T50A 1N914TAP 1N914-TP 1N914TR 1N914TR_S00Z
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