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2N2932

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2N2932 技術參數
  • 2N2925 功能描述:TRANS NPN 25V TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:160MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N2924 功能描述:TRANS NPN 25V TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:160MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N2920U 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 100μA,1mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,無引線 供應商器件封裝:6-SMD 標準包裝:1 2N2920L 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 100μA,1mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2920A 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 100μA,1mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N3053 2N3053A 2N3055 2N3055AG 2N3055G 2N3055H 2N3055HG 2N3057A 2N3108 2N3117 2N3250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2
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