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2N3034

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    2N3034

    2N3034

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 2N3034
    2N3034

    2N3034

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

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  • 原裝正品,假一罰十

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  • 1
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  • 制造商
  • NJSEMI
  • 制造商全稱
  • New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
  • 功能描述
  • N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS
2N3034 技術參數
  • 2N3019S 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3019 功能描述:TRANS NPN 80V 1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3014 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):300nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,400mV 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-52-3 基本零件編號:2N3014 標準包裝:250 2N3013 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):300nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,400mV 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:350MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 基本零件編號:2N3013 標準包裝:250 2N2946AUB 功能描述:TRANS PNP 35V 0.1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):35V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 1mA,500mV 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N3117 2N3250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2
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