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2N6729STOB

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT -
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N6729STOB 技術參數
  • 2N6729 功能描述:DIE TRANS 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 2N6727 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 1A,1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6727 標準包裝:2,000 2N6726 功能描述:TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6726 標準包裝:2,000 2N6725 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 2mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4000 @ 1A,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6725 標準包裝:2,000 2N6724 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 2mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4000 @ 1A,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6724 標準包裝:2,000 2N6768T1 2N6770 2N6770T1 2N6782 2N6782U 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U 2N6790 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802
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