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2N706(A,B,C,)

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2N706(A,B,C,)
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
MOT
標準封裝
13+
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2N706(A,B,C,) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N706(A,B,C,) 技術參數

2N706 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N7053_D75Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-226 標準包裝:2,000 2N7053_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-226 標準包裝:2,000 2N7053_D26Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-226 標準包裝:2,000 2N7053 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-226 標準包裝:1,500 2N7228U 2N7236 2N7236U 2N7334 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C