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2SC4245HB

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2SC4245HB 技術參數

2SC4228-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4228-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:1 2SC4227-T1-R34-A 功能描述:SAME AS NE68130 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:新產品晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 2SC4227-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4227-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 標準包裝:1 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN 2SC4489S-AN 2SC4489T-AN 2SC4495 2SC4505T100P 2SC4505T100Q