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2SC5552001PT

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2SC5552001PT 技術參數
  • 2SC5551AF-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):135 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SC5551AE-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC5549,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 1A 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 25mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 40mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC5536A-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:1.7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 150MHz 增益:16dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 3mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E 2SC5706-H 2SC5706-P-E 2SC5706-P-TL-E
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