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3LV2DMLT

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  • 3LV2DMLT
    3LV2DMLT

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • QFN

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  • 3LV2DMLT
    3LV2DMLT

    3LV2DMLT

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 30

  • ST

  • QFN16

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3LV2DMLT 技術參數
  • 3LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:1 3LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:8,000 3LP01SS-TL-EX 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT-623 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.43nC @ 10V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7.5pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-SSFP 封裝/外殼:SC-81 標準包裝:8,000 3LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:1 3LP01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250 3M 1120 CIRCLE-0.75"-250 3M 1120 CIRCLE-1"-250 3M 1120 CIRCLE-1.5"-100 3M 1120 CIRCLE-2"-100 3M 1125 0.5"SQ-250 3M 1125 0.75"SQ-250 3M 1125 1" X 2"-100 3M 1125 1" X 3"-100 3M 1125 1" X 4"-100
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