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AO6606DI

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AO6606DI 技術(shù)參數(shù)
  • AO6604L_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A,2.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6604 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A,2.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6602L 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 3.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):240pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6601_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A,2.3A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 3.4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6601 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A,2.3A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 3.4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6804 AO6804A AO6804A_101 AO6808 AO6808_101 AO6810 AO7400 AO7401 AO7403 AO7403_001 AO7404 AO7405 AO7407 AO7408 AO7408L AO7410 AO7411 AO7412
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