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APTGF150A60T3AG

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價格
說明
操作

APTGF150A60T3AG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGF150A60T3AG
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

1/1頁 40條/頁共10條
1

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module

APTGF150A60T3AG 技術參數

APTGF150A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 961W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:210A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF150A120T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 1041W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:210A 功率 - 最大值:1041W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF100SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF100DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF165A60D1G APTGF165DA60D1G APTGF165SK60D1G APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G