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BCR03AM-12

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • TO-220

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BCR03AM-12 技術參數
  • BCR 569 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:330mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR 519 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:330mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR 512 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:330mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BCR 503 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):2.2k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:330mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BCR 48PN H6727 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70mA,100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):47k,2.2k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:100MHz,200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR08PNB6327XT BCR08PNE6327BTSA1 BCR08PNE6433HTMA1 BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6433XTMA1 BCR08PNH6727XTSA1 BCR10001FMAHWS BCR10001FMAHWT BCR1000BFMAHWS BCR1000BFMAHWT BCR108E6327HTSA1 BCR108E6433HTMA1 BCR108SE6327BTSA1 BCR108SE6433HTMA1 BCR108SH6327XTSA1 BCR108SH6433XTMA1 BCR108WE6327BTSA1 BCR108WH6327XTSA1
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