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BSO119N03SXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO
BSO119N03SXT 技術參數
  • BSO119N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.9 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO110N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 12.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO104N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2130pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO094N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.1 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO083N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1
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