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BYM1O4OOGL41S12

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BYM1O4OOGL41S12 技術(shù)參數(shù)

BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BYM13-60-E3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BYM13-60-E3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BYM13-50HE3/97 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BYM36E-TAP BYM36E-TR BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81