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BZX79B10RL2

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BZX79B10RL2 技術參數
  • BZX79-B10,143 功能描述:Zener Diode 10V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B10,133 功能描述:DIODE ZENER 10V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B10 標準包裝:1 BZX79-B10,113 功能描述:DIODE ZENER 10V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79B10 A0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:7mA @ 200mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX585-C9V1,135 功能描述:Zener Diode 9.1V 300mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 標準包裝:10,000 BZX79-B13,113 BZX79-B13,133 BZX79-B13,143 BZX79B15 A0G BZX79-B15,113 BZX79-B15,133 BZX79-B15,143 BZX79B16 A0G BZX79-B16,113 BZX79-B16,133 BZX79-B16,143 BZX79B18 A0G BZX79-B18,113 BZX79-B18,133 BZX79-B18,143 BZX79B20 A0G BZX79-B20,113 BZX79-B20,133
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