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BZX79C3V9TA

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BZX79C3V9TA 技術參數

BZX79C3V9-T50A 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:BZX79C3V9 標準包裝:1 BZX79C3V9_T50R 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C3V9_T50A 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX79-C3V9,143 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C3V9 標準包裝:1 BZX79-C3V9,133 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79-C47,113 BZX79-C47,133 BZX79-C47,143 BZX79C47_T50A BZX79C47_T50R BZX79C4V3 BZX79C4V3 A0G BZX79-C4V3,113 BZX79-C4V3,133 BZX79-C4V3,143 BZX79C4V3_T50A BZX79C4V3_T50R BZX79C4V3-T50A BZX79C4V7 BZX79C4V7 A0G BZX79-C4V7,113 BZX79-C4V7,133 BZX79-C4V7,143