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CIG21L1R0MNE

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • CIG21L1R0MNE
    CIG21L1R0MNE

    CIG21L1R0MNE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝特價現貨!

  • CIG21L1R0MNE
    CIG21L1R0MNE

    CIG21L1R0MNE

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • CIG21L1R0MNE
    CIG21L1R0MNE

    CIG21L1R0MNE

  • 深圳市寶芯創電子有限公司
    深圳市寶芯創電子有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規13%專

    資質:營業執照

  • 383800

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 15+ROHS

  • -
  • 一級質量保證長期穩定提供貨優價美

  • CIG21L1R0MNE
    CIG21L1R0MNE

    CIG21L1R0MNE

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 9869

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 2016+

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
CIG21L1R0MNE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.15A 0805 Embossed T/R
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • POWER INDUCTOR,0805,1.0UH,20%,1.15A - Tape and Reel
  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 1UH 1.15A 0805
  • 制造商
  • Samsung Semiconductor
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.15A 0805 Embossed T/R
CIG21L1R0MNE 技術參數
  • CIG21FR47MNC 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 120 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21F 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):120 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21F2R2MNC 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 600mA 340 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21F 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):340 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:4,000 CIG21F1R5MNC 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 700mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21F 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:700mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):250 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:4,000 CIG21F1R0MNC 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 190 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21F 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):190 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:4,000 CIG21C4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 580mA 433 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21C 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:580mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):433 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21W3R3MNE CIG21W4R7MNE CIG22B1R0MAE CIG22B1R0MNE CIG22B1R5MNE CIG22B2R2MAE CIG22B2R2MLE CIG22B2R2MNE CIG22B3R3MAE CIG22B3R3MNE CIG22B4R7MAE CIG22B4R7MNE CIG22BR27MNE CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE
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