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CLH0603T-12NJ-W

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CLH0603T-12NJ-W 技術參數
  • CLH06(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):5A(DC) 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 CLH06(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):5A(DC) 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 CLH05,LMBJQ(O 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):5A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:0.98V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLH05(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):5A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:0.98V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLH05(T6L,NKOD,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):5A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:0.98V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLI/P-RM10/I CLI/P-RM10/ILP CLI/P-RM12/I CLI/P-RM14/I CLI/P-RM8/I CLI/P-RM8/ILP CLI-E25/13/7 CLI-EP10 CLI-EP13 CLINK3V28BT-85 CLINK3V48BT-112 CLINK3V48BT-133 CLIP3-10 CLIPCLAMPEASY2XOXA1 CLI-RM12/ILP CLI-RM7/I CLI-RM7/ILP CLI-RM8/I-C
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