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F195EGFD.3

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F195EGFD.3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

F195EGFD.3 技術參數

F1956NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效衰減值:31.75dB 容差:±0.1dB 頻率范圍:0 ~ 4GHz 功率（W）:1.5W 阻抗:50 歐姆封裝/外殼:32-WFQFN 裸露焊盤標準包裝:490 F1953NCGI 功能描述:RF Attenuator 32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 400MHz ~ 4GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效衰減值:32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 容差:- 頻率范圍:400MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤標準包裝:490 F1951NBGI 功能描述:RF Attenuator 32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 100MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效衰減值:32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 容差:- 頻率范圍:100MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:24-WFQFN 裸露焊盤標準包裝:490 F1950NBGI 功能描述:RF Attenuator 33dB @ 150MHz ~ 4GHz 150MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效衰減值:33dB @ 150MHz ~ 4GHz 容差:- 頻率范圍:150MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:24-WFQFN 裸露焊盤標準包裝:490 F-193U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件狀態:有效類型:疊片核心電壓 - 初級:115V 電壓 - 次級（滿負載）:24V 電流 - 輸出（最大值）:4A 初級繞組:單一次級繞組:單一中心抽頭:是功率 - 最大值:96 VA 安裝類型:底座安裝端子類型:導線引線大小/尺寸:79.38mm 長 x 71.42mm 寬高度 - 安裝（最大值）:71.42mm 電壓 - 隔離:1500Vrms 標準包裝:8 F-197U F-198U F1ABXN-1B08-10F F1ABXN-1B08-10S F1ABXN-6408-10F F1ABXN-6408-10S F1ABXO-1B08-10F F1ABXO-1B08-10S F1ABXO-6408-10F F1ABXO-6408-10S F1ABZN-1B08-10F F1ABZN-1B08-10S F1ABZN-6408-10F F1ABZN-6408-10S F1ABZO-1B08-10F F1ABZO-1B08-10S F1ABZO-6408-10F F1ABZO-6408-10S