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SGL60N90DG3M1TU

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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
SGL60N90DG3M1TU 技術參數
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