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STB50NE10L-T4

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價格
說明
操作

STB50NE10L-T4
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18530
ST
11PBF
24+
-
全新原裝正品現貨

STB50NE10L-T4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
STM
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STB50NE10L-T4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ST
標準封裝
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

STB50NE10L-T4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ST
標準封裝
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

STB50NE10L-T4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
33965
ST
TO-263
13+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共17條
1

您是不是要找： STB50NE10T4 STB50NF25 STB55NF06LT4 STB55NF06T4 STB5600TR STB57N65M5 STB5N52K3 STB5N62K3 STB5N80K5

STB50NE10L-T4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STB50NE10L-T4 技術參數

STB50N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB4NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB4NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB46N30M5 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 STB60NF10-1 STB60NF10T4 STB60NH02LT4 STB6N52K3 STB6N60M2 STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5 STB6NK60Z-1