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STP2744

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型號
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價格
說明
操作

STP2744B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
EPSON
DIP-8
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

STP2744
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
DIP-8
13+
-

STP2744
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
N/A
DIP-8
N/A
-
全新原裝100%正品保證質量

STP2744B
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： STP27N3LH5 STP27N60M2-EP STP28N60DM2 STP28N60M2 STP28N65M2 STP28NM50N STP28NM60ND STP28X0.2MBL STP28X0.2MBU

STP2744 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP2744 技術參數

STP270N8F7 功能描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP270N04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 STP26NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1817pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP265N6F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.85 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP28X0.2MGR STP28X0.2MIG STP28X0.2MOR STP28X0.2MRD STP28X0.2MVL STP28X0.2MYL STP28X0.5MBL STP28X0.5MBL-Q STP28X0.5MBU STP28X0.5MBU-Q STP28X0.5MGR STP28X0.5MGR-Q STP28X0.5MIG STP28X0.5MIG-Q STP28X0.5MOR STP28X0.5MOR-Q STP28X0.5MRD STP28X0.5MRD-Q