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STP4NB60ZFP

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  • STP4NB60ZFP
    STP4NB60ZFP

    STP4NB60ZFP

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 80

  • ST

  • TO-220F

  • 假一賠十!

  • -
  • 絕對原裝現貨!!

  • STP4NB60ZFP
    STP4NB60ZFP

    STP4NB60ZFP

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • ST

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
STP4NB60ZFP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP4NB60ZFP 技術參數
  • STP4NB50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4NB100 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.3nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):173pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 歐姆 @ 1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 STP4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):175pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.95 歐姆 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP50NE10 STP50NF25 STP52N25M5 STP52P3LLH6 STP55NF06 STP55NF06FP STP55NF06L STP57N65M5 STP5N105K5 STP5N120 STP5N52K3 STP5N60M2 STP5N62K3 STP5N80K5 STP5N95K3 STP5N95K5 STP5NB40 STP5NB60
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