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STS8DNF30L

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說明
操作

STS8DNF30L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
SOP8
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨??！

STS8DNF30L
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
5393
ST
SOP8
21+
-
原裝正品現貨，支持BOM配單！

STS8DNF30L
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質：營業執照
4200
ST
原廠封裝
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO

STS8DNF30L 技術參數

STS8DN6LF6AG 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS8DN3LLH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:724pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS8C5H30L 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A，5.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:857pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS7PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS7P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWERSO-8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4 STSB43AB23PDT STSC1 STSD-002GG-P0.6(LF)(SN) STSJ100NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL STSMIA832TBR STSPIN230 STSPIN240