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STU2071FN

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操作

STU2071FN
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
聯系人：李小姐/肖先生
電話：0755-8257149682571956
地址：賽格廣場69樓6900
資質：營業執照
5085
ST
原廠封裝
21+
-
★假一賠十!絕對原裝現貨市場最低價！★

STU2071FN
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
sgs
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
4B3T U INTERFACE CIRCUIT

STU2071FN 技術參數

STU1HN60K3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 50V 功率 - 最大值:27W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STU16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STU150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3 STU4N62K3 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2