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參數資料
| 型號： | STGW50NB60M |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
| 中文描述： | N溝道50A條- 600V的-對IGBT的247 PowerMESH⑩ |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | STGW50NB60M |
1/9
May 2003
STGW50NB60M
N-CHANNEL 50A - 600V
- TO-247
PowerMESH IGBT
(
G
) Pulse width limitedby safe operating area
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix "M" identifies a family optimized to
achieve very low saturation on voltage for frequency
applications <10 KHz.
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROL
I
WELDING EQUIPMENTS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
TYPE
V
CES
V
CE(sat)(25°C)
I
C
STGW50NB60M
600 V
< 1.9
V
50 A
Parameter
Value
Unit
600
V
20
V
±20
V
100
A
50
A
400
A
250
W
2
W/°C
–65 to 150
°C
150
°C
TO-247
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STH4N90 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH4N90FI | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH51002Z | 1300nm Laser in Coaxial TO-Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STGW50NC60W | 功能描述:IGBT 晶體管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGW60H60DLFB | 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關能量:626μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關）值:-/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STGW60H65DF | 功能描述:IGBT 晶體管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGW60H65DFB | 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關能量:1.09mJ（開），626μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關）值:51ns/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STGW60H65DRF | 功能描述:IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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