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參數資料
| 型號： | STS5NS150 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道150伏- 0.075歐姆- 5A條的SO - 8低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | STS5NS150 |
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May 2002
.
STS5NS150
N-CHANNEL 150V - 0.075
- 5A SO-8
LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.075
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
DESCRIPTION
This MOSFET series realized with STMicroelectronics
unique STripFET process has specifically been designed
to minimize input capacitance and gate charge. It is
therefore suitable as primary switch in advanced high-
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for
Telecom and Computer applications. It is also intended
for any applications with low gate drive requirements.
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
UPS AND MOTOR CONTROL
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STS5NS150
150 V
<0.1
5 A
SO-8
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Value
150
150
± 20
5
3
20
2.5
0.02
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
-55 to 150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STS9NF30L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
| STS9NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STT4NF30L | N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET |
| STT4PF20V | P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET |
| STT818B | HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STS5P3LLH6 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| STS5PF20V | 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS5PF30L | 功能描述:MOSFET P-Ch 30 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS5PF30L_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-channel 30V - 0.045OHM - 5A SO-8 STripFET TM Power MOSFET |
| STS63/23/24 | 制造商:Block 功能描述:Transformer 230/24V 63VA |
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