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參數資料
| 型號： | μPD42S65805 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動態RAM) |
| 中文描述： | 8388608字8位的CMOS（6400動態RAM動態存儲器） |
| 文件頁數： | 1/36頁 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | ΜPD42S65805 |
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1995
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
μ
PD4264805, 42S65805, 4265805
64 M-BIT DYNAMIC RAM
8 M-WORD BY 8-BIT, EDO
The information in this document is subject to change without notice.
The mark
shows major revised points.
Document No. M10857EJ6V0DS00 (6th edition)
Date Published September 1997 N
Printed in Japan
Description
The
μ
PD4264805, 42S65805, 4265805 are 8,388,608 words by 8 bits CMOS dynamic RAMs with optional EDO.
EDO is a kind of the page mode and is useful for the read operation.
Besides, the
μ
PD42S65805 can execute CAS before RAS self refresh.
These are packaged in 32-pin plastic TSOP (II) and 32-pin plastic SOJ.
Features
EDO (Hyper page mode)
8,388,608 words by 8 bits organization
Single +3.3 V
±
0.3 V power supply
Fast access and cycle time
Part number
Power consumption
Active (MAX.)
Access time
(MAX.)
R/W cycle time
(MIN.)
EDO (Hyper page mode)
cycle time (MIN.)
μ
PD4264805-A50
378 mW
50 ns
84 ns
20 ns
μ
PD42S65805-A50, 4265805-A50
486 mW
μ
PD4264805-A60
342 mW
60 ns
104 ns
25 ns
μ
PD42S65805-A60, 4265805-A60
414 mW
The
μ
PD42S65805 can execute CAS before RAS self refresh.
Part number
Refresh cycle
Refresh
Power consumption
at standby (MAX.)
μ
PD42S65805
4,096 cycles/128 ms
RAS only refresh, Normal read/write,
CAS before RAS self refresh,
CAS before RAS refresh, Hidden refresh
0.72 mW
(CMOS level input)
μ
PD4264805
8,192 cycles/64 ms
RAS only refresh, Normal read/write
1.8 mW
4,096 cycles/64 ms
CAS before RAS refresh, Hidden refresh
(CMOS level input)
μ
PD4265805
4,096 cycles/64 ms
RAS only refresh, Normal read/write,
CAS before RAS refresh, Hidden refresh
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD4264805 | 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動態RAM) |
| μPD4265805 | 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動態RAM) |
| μPD431009 | 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態) |
| μPD431232AL | 1M CMOS synchronous Fast static RAM(1M 位CMOS 同步快速靜態RAM) |
| μPD431532L | 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PD430 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| PD4306 | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (600 Amperes / Up to 2400 Volts) |
| PD430607 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 600V 700A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結構:串聯 - SCR/二極管 SCR 數目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態 (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態 (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
| PD4307 | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (700 Amperes / Up to 1800 Volts) |
| PD430807 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 800V 700A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結構:串聯 - SCR/二極管 SCR 數目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態 (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態 (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
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