- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄22563 > 015AZ10-Z (Toshiba Corporation) Diode Silicon Epitaxial Planar Type PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 015AZ10-Z |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二極管外延硅平面型 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 015AZ10-Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 03AS122-K40S3 | 0 MHz - 26500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 03AS122-K20S3 | 0 MHz - 26500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 07AP122-P20S3 | 0 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 05AS102-K03S3 | 0 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 05AS102-K06S3 | 0 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 015AZ11 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ11X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ11-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ11-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩壓二極管 11volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ11Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。