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參數資料
| 型號： | 015AZ12Z |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二極管外延硅平面型 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 015AZ12Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ12 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ12-X | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ12-Y | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ12-Z | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 03K17R-001D3 | 0 MHz - 26500 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 015AZ12-Z | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ13-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩壓二極管 13V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ15-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩壓二極管 15V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ16-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩壓二極管 16V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ18-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩壓二極管 18V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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