型號: | 015AZ2.4Z |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
中文描述: | 二極管外延硅平面型 |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 234K |
代理商: | 015AZ2.4Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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015AZ2.7X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ2.7Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
03P4MGC | 0.8 A, 400 V, SCR, TO-92 |
03P5MGC | 0.8 A, 500 V, SCR, TO-92 |
03P4MG | 0.47 A, 400 V, SCR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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015AZ3.0 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ3.0X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ3.0-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ3.0-X(TH3,F,T | 功能描述:穩壓二極管 3.0volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
015AZ3.0Z | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |