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參數資料
| 型號： | 015AZ2 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二極管外延硅平面型 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 015AZ2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 03P4M | 0.47 A, 400 V, SCR, TO-92 |
| 03P2M-AZ | 0.47 A, 200 V, SCR, TO-92 |
| 03P4M-AZ | 0.47 A, 400 V, SCR, TO-92 |
| 03P2M-AZ | 0.47 A, 200 V, SCR, TO-92 |
| 03P4M-AZ | 0.47 A, 400 V, SCR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 015AZ2.0 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.0_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Constant-Voltage Regulation Applications |
| 015AZ2.0X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.0-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.0-X(TL3,F,T | 功能描述:穩壓二極管 2.0volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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