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參數資料
| 型號： | 015AZ6.8-Z |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 東芝半導體硅外延平面型 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ6.8-Z |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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