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參數資料
| 型號： | 015AZ7.5 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | CAP 0.01UF 100V 10% X7R RAD.20 .20X.20 TR-13 |
| 中文描述： | 東芝半導體硅外延平面型 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ7.5 |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ7.5-X | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 015AZ70.5 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ70.5-X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 015AZ8.2X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ8.2-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 015AZ8.2Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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