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參數(shù)資料
| 型號： | 015AZ8.2Z |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 二極管外延硅平面型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ8.2Z |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 06-2.5-103TW | INTERCONNECTION DEVICE |
| 08-2.5-110 | INTERCONNECTION DEVICE |
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| 08-2.5-102T | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 015AZ9.1 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ9.1X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ9.1-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ9.1-X(TH3,F,T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ9.1Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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