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參數資料
型號: 015AZ9.1Y
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Diode Silicon Epitaxial Planar Type
中文描述: 二極管外延硅平面型
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 172K
代理商: 015AZ9.1Y
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
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PDF描述
04-2.5-109 INTERCONNECTION DEVICE
015AZ9.1Z Diode Silicon Epitaxial Planar Type
06-002-104F INTERCONNECTION DEVICE
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