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120NQ045 1DIO IR

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120NQ045 1DIO IR 技術參數

120NQ045 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:570mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 120NQ040R-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:610mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:27 120NQ040-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:610mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:27 120NQ040 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:570mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 120NQ035R-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:610mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 35V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:27 120PS 120PSB 120PSB- 120PSB--10PK 120PSB-SD 120-SA 1-20-SJ3000-BLK 120SPC045A 120SPC060A 120TPN 120TR 120TYT8-1 120TYT8-2 120X10019X 120X10089X 120X10099X 120X10109X 120X10119X