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1217AS-H-8R2M=P3

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封裝
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價格
說明
操作

1217AS-H-8R2M=P3
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
215610
Murata Electronics
3131 (8080 metric)
2025+
-

1217AS-H-8R2M=P3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
MURATA/村田
SMD
最新批號
-
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1217AS-H-8R2M=P3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1217AS-H-8R2M=P3 PDF下載

功能描述
8.2μH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 33.6 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
8.2μH
容差
±20%
額定電流
4.5A
電流 - 飽和值
4.8A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
33.6 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
100kHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標準
大小/尺寸
0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.177"（4.50mm）
標準包裝
1

1217AS-H-8R2M=P3 技術參數

1217AS-H-6R8N=P3 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 27.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±30% 額定電流:4.8A 電流 - 飽和值:5.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27.6 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 1217AS-H-4R7N=P3 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 6.3A 18 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:6.3A 電流 - 飽和值:6.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:18 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 1217AS-H-470M=P3 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 204 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:204 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 1217AS-H-3R3N=P3 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 14.4 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±30% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:7.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14.4 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 1217AS-H-330M=P3 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 132 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:33μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:132 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 1-2180324-9 1218039-1 1218040-1 1218040-2 1218041-1 1218041-2 1218042-1 1218042-2 1218042-3 1218043-1 1218044-1 1218045-1 1218046-1 1218049-3 1218049-4 1218055-1 1218055-2 12-1806-0000