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1239AS-H-6R8M=P2

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說明
操作

1239AS-H-6R8M=P2
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
10
MURATA
con
24+
-
電感器

1239AS-H-6R8M=P2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
10
MURATA
con
24+
-
電感器

1239AS-H-6R8M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
TOKO
SMD
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！！

1239AS-H-6R8M=P2
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
200
Murata
SMD
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

1239AS-H-6R8M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1239AS-H-6R8M=P2
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4922
MURATA
SMD
2233+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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1

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1239AS-H-6R8M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1239AS-H-6R8M=P2 PDF下載

功能描述
6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1A 375 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012C
包裝
*
零件狀態
新產品
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
6.8μH
容差
±20%
額定電流
1A
電流 - 飽和值
1.3A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
375 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
*
封裝/外殼
*
大小/尺寸
*
高度 - 安裝（最大值）
*
標準包裝
1

1239AS-H-6R8M=P2 技術參數

1239AS-H-6R0M=P2 功能描述:6μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 275 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:6μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:275 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 1239AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 240 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:240 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1239AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 144 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:144 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1239AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 108 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:108 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1239AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 72 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:72 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 123I,BK 123I,GY 123JG1K 123L15-00P-WB 123NQ080 123NQ080-1 123NQ080R-1 123NQ100 123NQ100-1 123NQ100R 123NQ100R-1 123R,AL 123R,BK 123R,GY 123RI,AL 123RI,BK 123RI,GY 123SPC080A