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1269AS-H-1R5N=P2-USD

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1269AS-H-1R5N=P2-USD 技術參數(shù)

1269AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 108 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:108 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269AS-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 78 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:78 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269AS-H-100N=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1A 689 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:10μH 容差:±30% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:689 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269A 0101000 功能描述:CBL 2PR 22AWG SHLD 制造商:belden inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1,000 1269770000 功能描述:SAIE-M12B-4-LP-D 制造商:weidmuller 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 126C 126D 126KXM063M 126KXM100M 126M76-032 126MABA02KJS 126MABA03KJS 126MABA04KJS 126MHBS35K2H 126MHBS40K2H 126MHBS45K2J 126MHBS55K2J 126MHBS55K2JA 126MHBS60K2J 126MHBS70K2R 12-6-NB 126NQ200-1 126PHC600K