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183P(18000P)

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183P(18000P) 技術參數

183NQ100R 功能描述:DIODE MODULE 100V 180A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:HALF-PAK 工作溫度 - 結:* 標準包裝:100 183NQ100-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊）工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:27 183NQ100 功能描述:DIODE MODULE 100V 180A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:HALF-PAK 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 183NQ080-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 80V 180A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊）工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:27 183NQ080 功能描述:DIODE MODULE 80V 180A HALF-PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:180A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 180A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5mA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:4150pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:HALF-PAK 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 1840000000 184000-1 1840003-1 1840-00F 1840-00G 1840-00H 1840-00J 1840-00K 1840-00M 1840010 1840010000 1840020000 184002-1 1840028-2 1840-02F 1840-02G 1840-02H 1840-02J