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1HS01G

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批號
價格
說明
操作

1HS01G
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
INFINEON
SOP8
10+
-
原裝現貨優勢庫存

1HS01G
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
1300
Infineon
SOP8S
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

1HS01G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
69200
INFINEON
SOP8
18+
-
全新原裝，優勢庫存

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1HS01G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1HS01G 技術參數

1-HPV-DV-3A 功能描述:FUSEHOLDER ASSEMBLY 制造商:eaton 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 1-HPV-DV-3-5A 功能描述:FUSEHOLDER ASSEMBLY 制造商:eaton 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 1HP04CH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 歐姆 @ 80mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 1HN04CH-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:270mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 1HM61 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 1HS181 1HS201 1HS25 1HS35 1HS38 1HS41 1HS431 1IS11-10.4 1IS11-12.0 1IS11-16.0 1IS11-19.0 1IS11-22.5 1IS16-12.0 1J0280-3 1J0560-3 1J0770-3 1JBLK 1JCLR