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1N1190T

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1N1190T 技術參數

1N1190R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1190AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1190A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1190 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1189R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1195A 1N1196 1N1196A 1N1197 1N1197A 1N1198 1N1198A 1N1199 1N1199A 1N1199AR 1N1199B 1N1199BR 1N1199C 1N1199R 1N1200 1N1200A 1N1200AR 1N1200B