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1N2131RA

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1N2131RA
    1N2131RA

    1N2131RA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • MICROSEMI

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  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 功能描述
  • DIODE STD REC 200V 60A DO-5
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • -
  • 二極管類型
  • 標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)
  • 50V
  • 電流 - 平均整流 (Io)
  • 6A
  • 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大)
  • 1.4V @ 6A
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時間(trr)
  • 300ns
  • 電流 - 在 Vr 時反向漏電
  • 15µA @ 50V
  • 電容@ Vr, F
  • -
  • 安裝類型
  • 底座,接線柱安裝
  • 封裝/外殼
  • DO-203AA,DO-4,接線柱
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • DO-203AA
  • 包裝
  • 散裝
  • 其它名稱
  • *1N3879
1N2131RA 技術(shù)參數(shù)
  • 1N2131AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2131A 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2130AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2130A 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2129AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):60A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 60A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2804A 1N2804B 1N2804RB 1N2805A 1N2805B 1N2805RB 1N2806A 1N2806B 1N2806RB 1N2807A 1N2807B 1N2807RB 1N2808A 1N2808B 1N2808RB 1N2809A 1N2809B 1N2809RB
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